![[SK하이닉스㈜ 연혁과 역사] 1949년 10월15일 국도건설 주식회사 설립](https://image.inblog.dev?url=https%3A%2F%2Finblog.ai%2Fapi%2Fog-custom%3Ftitle%3DSK%2Bhynix%2BInc.%26tag%3DTemplate%2B1%26description%3DA%2B76-year%2BHeritage%2Bsince%2B1949%26template%3D3%26backgroundImage%3Dhttps%253A%252F%252Fsource.inblog.dev%252Fog_image%252Fdefault.png%26bgStartColor%3D%2523ffffff%26bgEndColor%3D%2523ffffff%26textColor%3D%2523000000%26tagColor%3D%2523000000%26descriptionColor%3D%2523000000%26logoUrl%3Dhttps%253A%252F%252Fsource.inblog.dev%252Flogo%252F2025-12-04T02%253A51%253A57.421Z-7f107735-20c9-4f6f-8d37-2f3cf0d12416%26blogTitle%3D&w=3840&q=75)
SK하이닉스는 1949년 10월 국도건설 주식회사로 설립된 이후 1983년 현대전자산업주식회사, 2001년 하이닉스반도체, 2012년 SK하이닉스로 상호를 변경하며 성장해온 글로벌 반도체 기업입니다. 설립 초기에는 전화기와 PC 등 전자제품을 생산했으나, 이후 DRAM과 NAND Flash 등 메모리 반도체에 집중하며 사업 구조를 전환했습니다. 현재 SK하이닉스는 DRAM, NAND Flash, MCP(Multi-chip Package)와 같은 메모리 반도체를 주력으로 생산하며, Foundry 사업을 병행하고 있습니다. 또한 2007년 재진출했던 CIS(CMOS Image Sensor) 사업을 2025년 3월 AI 메모리 분야로 전환하며 미래 성장 동력을 강화했습니다. 메모리 반도체는 정보를 저장·기억하는 기능을 하며 휘발성(Volatile)과 비휘발성(Non-volatile)으로 구분되는데, SK하이닉스는 휘발성 메모리인 DRAM과 비휘발성 메모리인 NAND Flash를 핵심 제품으로 하고 있습니다.
본사는 경기도 이천시에 위치하며, 4개의 생산기지와 3개의 연구개발법인, 미국·중국·싱가포르·대만·홍콩 등 글로벌 판매 네트워크를 운영하고 있습니다. 2025년 반기(누계) 기준 연결 매출액은 39조 8,711억 원을 기록했습니다.
2025년
(10월) 2025년 3분기 경영실적 발표, 매출 24조 4,489억 원, 영업이익 11조 3,834억 원, 순이익 12조 5,975억 원 기록 [▲분기 기준 역대 최대 실적 ▲영업이익 창사 이래 최초 10조 원 돌파]
(10월) ‘OCP 글로벌 서밋 2025(OCP Global Summit 2025)’ 참가 [@캘리포니아주 새너제이 △AI와 데이터센터 인프라 향상을 위한 풀 스택 AI 메모리 포트폴리오 소개]
(10월) 제13회 ‘산학연구과제 우수발명 포상 시상식’ 개최 [△창의적 특허개발 장려 △최우수상 1건, 우수상 1건, 장려상 3건 등 총 5건 선정]
(09월) 소셜미디어 링크드인(LinkedIn) 활용 글로벌 마케팅 캠페인, ‘세이버 어워즈 아시아 태평양 2025(The SABRE Awards Asia-Pacific 2025)‘에서 테크놀로지/하드웨어(Technology/Hardware) 부문 수상작 선정 [소셜미디어 기반 글로벌 커뮤니케이션 역량 입증]
(09월) 국내 최초 소프트웨어(SW) 테스트 프로세스 분야 국제 표준 평가 모델인 TMMi(Test Maturity Model integration) Level 4 인증 획득 [SW 테스트 품질 경쟁력 입증]
(09월) ‘2025 하이개라지 스타트업 페어(2025 HiGarage Start-Up Fair)’ 개최 [사내벤처 육성 프로그램]
(09월) ‘델 테크놀로지스 포럼(Dell Technologies Forum) 2025’ 참가 [@서울 삼성동 코엑스 △AI 시대 선도할 다양한 메모리 솔루션 소개]
(09월) 'AI Infra Summit 2025' 참가 [@미국 캘리포니아주 산타 클라라(Santa Clara) △차세대 AI 메모리 AiM(Accelerator-in-Memory) 기반 솔루션 소개 △미래 AI 서비스 선도할 기술력 입증]
(09월) 2025 SK하이닉스 미래포럼 개최 [△주제: AI 시대, First Mover로서의 기술적 도약과 Paradigm 변화]
(09월) ‘2025 일자리 창출 지원 유공 정부포상’ 수상 [고용노동부 주최]
(09월) 세계 최초 초고성능 AI용 메모리 신제품 HBM4(High Bandwidth Memory) 개발 완료 및 양산 체제 구축 [△현존 최고 성능 HBM4 고객 일정 맞춰 공급 △경쟁 우위 실현]
(09월) 세계 최초로 양산한 모바일용 낸드 솔루션 제품 ‘ZUFS 4.1’, 고객사 공급개시 [고객 맞춤형 공급과 전략적 파트너십으로 AI 메모리 분야 차별화된 경쟁력 구축]
(09월) 네이버클라우드와 차세대 AI 메모리, 스토리지 솔루션의 평가 및 최적화를 위한 업무협약 체결 [실제 AI 서비스 환경에서 차세대 AI 메모리, 스토리지 제품에 대한 성능 평가와 최적화 추진]
(09월) 메모리 업계 최초 양산용 ‘High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography) 장비, 이천 M16팹(Fab)에 도입 [차세대 메모리 반도체 양산 경쟁력 확보]
(08월) 리쿠르팅 행사 ‘2025 테크 데이(Tech Day)’ 개최
(08월) 업계 최초 ‘High-K EMC(Epoxy Molding Compound)’ 소재 적용 고방열 모바일 D램 제품 개발, 고객사들에 공급 개시 [△온디바이스 AI 구현 시 발생하는 발열 문제 해결 기여해 글로벌 고객사 높은 평가 △소재 기술 혁신 통해 차세대 모바일 기기용 D램 시장 선도]
(08월) 321단 2Tb(테라비트) QLC 낸드 플래시 제품 개발 완료, 양산 돌입 [△2026년 상반기 출시 예정 △가격 경쟁력 있는 고용량 제품 라인업 확대해 급증하는 AI 수요와 고성능 요구 대응]
(07월) 2025년 2분기 경영실적 발표, 매출 22조 2,320억 원, 영업이익 9조 2,129억 원 기록 [사상 최대 분기 실적 달성]
(07월) Intel AI Summit Seoul 2025 참가 [고성능 AI 서버와 스토리지 분야 메모리 설루션 소개]
(06월) HPE(Hewlett Packard Enterprise) Discover 2025’ 참가 [인공지능(AI) 시대 기술 로드맵과 서비스 전략, AI 클라우드 비전 공유]
(06월) IEEE VLSI(Institute of Electrical and Electronics Engineers Very Large Scale Integration) 심포지엄에서 차세대 D램 기술 로드맵 공식 발표 [10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술 준비, 기술적 한계 돌파]
(06월) ‘2025 SK 글로벌 포럼' 개최 [‘풀스택 AI 메모리 프로바이더(Full Stack AI Memory Provider)’로의 도약을 목표로 한 미래 비전 소개]
(05월) 대만 컴퓨텍스 타이베이 2025(COMPUTEX TAIPEI 2025) 참가, HBM4와 AI 메모리 포트폴리오 공개
(05월) 세계 최고층 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 적용한 모바일용 솔루션 제품 UFS 4.1 개발 [온디바이스 AI 구현 최적화]
(04월) CXL(Compute eXpress Link) 2.0 기반 D램 솔루션 CMM(CXL Memory Module)-DDR5 96GB(기가바이트) 제품 고객 인증 완료[데이터센터 구축/운영 고객사, 총소유비용(TCO, Total Cost of Ownership) 획기적 절감 기여]
(03월) Intel사의 Non-volatile Memory Solutions Group의 옵테인 사업부를 제외한 NAND 사업 부문 전체 영업양수 최종 완료 [거래종결일: 3월28일]
(03월) 세계 최초 ‘HBM4’ 12단 샘플 공급
(03월) 국내 반도체 기업 최초, 글로벌 윤리경영 평가기관 에티스피어*가 주관하는 ‘2025년 세계에서 가장 윤리적인 기업(World’s Most Ethical Companies®)’ 선정
(02월) 메모리 업계 최초 글로벌 자동차산업 정보 보안 인증 'TISAX(Trusted Information Security Assessment Exchange)’ 획득
(01월) 2024년 경영실적 발표, 창사 이래 최대 실적 경신[2024년 매출액 66조 1,930억 원, 영업이익 23조 4,673억 원(영업이익률 35%), K-IFRS 기준]
(01월) SK하니익스-SK텔레콤-펭귄 솔루션스, ‘AI 데이터센터 솔루션 공동 R&D 및 사업 추진’을 위한 협약 체결
2024년
(12월) AI 데이터센터용 고용량 SSD ‘PS1012 U.2’ 개발 완료
(11월) 세계 최초 321단 낸드 양산 돌입
(09월) 세계 최초 12단 HBM3E D램 양산 돌입
(09월) 데이터센터용 고성능 SSD ‘PEB110 E1.S’ 개발
(08월) 세계 최초 10나노급 6세대 D램 ‘1c DDR5’ 개발
(06월) AI PC용 고성능 SSD ‘PCB01’ 개발
(05월) 차세대 모바일 낸드 솔루션 ‘ZUFS 4.0’ 개발
(04월) 청주 M15X D램 팹(Fab) 투자 결정
(04월) TSMC와 HBM 기술 협력을 위한 양해각서(MOU) 체결
(04월) 미 인디애나주와 첨단 후공정 분야 투자협약 체결
(03월) 세계 최초 HBM3E D램 양산
2023년
(11월) 세계 최고속 ‘LPDDR5T’ D램 첫 상용화
(08월) 세계 최고 사양 ‘HBM3E’ 개발
(08월) 세계 최고 용량 LPDDR5X D램 양산
(08월) 세계 최고층 ‘321단 낸드’ 샘플 공개
(06월) 세계 최고층 ‘238단 4D 낸드’ 양산 돌입
(04월) 세계 최초 12단 적층 HBM3 개발
(01월) 세계 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’ 출시
2022년
(09월) M15X 신규 공장 투자 결정
(08월) 주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 인수 완료
(08월) 세계 최고층 '238단 낸드' 개발
(06월) HBM3 D램 양산 개시
(03월) 곽노정 사장 신규 각자 대표이사로 선임
(03월) SK그룹 편입 10주년
(02월) 차세대 지능형 메모리반도체 PIM 개발
(01월) SK 3사 ICT 연합 출범
2021년
(12월) 인텔社 NSG의 옵테인 사업부 제외 NAND 사업부문 1단계 인수 완료
(10월) 세계 최초 HBM3 D램 개발
(10월) 주식회사 키파운드리 지분 100%를 매그너스 반도체 유한회사로부터 취득 결정
(07월) EUV 활용 10나노급 4세대 D램 본격 양산
(05월) 2020년 사회적 가치(SV) 실적 발표
(04월) 업계 최고 성능 기업용 SSD 신제품 양산
(03월) 박정호 부회장 각자 대표이사로 선임
(03월) 업계 최대 용량 LPDDR5 모바일 D램 양산
(02월) 이천 M16 팹 준공
(01월) 사회적 가치 중장기 추진계획 ‘SV2030’ 로드맵 발표
2020년
(12월) 업계 최고층 '176단 4D 낸드'개발
(10월) 세계 최초 DDR5 D램 출시
(10월) 인텔社 NSG의 옵테인 사업부를 제외한 NAND 사업 부문 전체 영업양수결정
(09월) AI 전문회사 '가우스랩스' 출범
(07월) 초고속 D램 ‘HBM2E’ 본격 양산
(07월) 4월고려대에 반도체공학부 신설
(07월) 2019 CDP 선정 ‘물 경영’ 대상 수상
2019년
(10월) ‘글로벌 뉴스룸’ 오픈
(10월) 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램 개발
(08월) 업계 최고속 ‘HBM2E’ 개발
(07월) 친환경 반도체 생태계 구축 위한 ‘에코 얼라이언스(ECO Alliance)’ 출범
(06월) 세계 최초 '128단 4D 낸드' 양산
(05월) 96단 4D 낸드 기반 1Tb QLC 샘플 출하
(04월) 중국 우시 확장팹(C2F) 준공
(03월) 1조 2,200억 원 규모 <반도체 상생 클러스터> 지원 방안 확정
(03월) 차세대 데이터센터용 표준 ZNS SSD 업계 최초 시연
(02월) 반도체 클러스터 SPC, 용인시에 투자의향서 제출
2018년
(12월) 이천 본사 M16 기공식 개최
(12월) 신임 대표이사 이석희 사장 선임
(11월) 2세대 10나노급(1Y) 16Gb DDR5 개발
(11월) 2세대 10나노급(1Y) DDR4 D램 개발
(11월) 세계 최초 CTF 기반 96단 4D 낸드 개발
(10월) 기술 중심 새 슬로건 ‘We Do Technology’ 도입
(10월) 청주 M15 준공식 개최
(07월) 경기도 이천에 신규 반도체 공장 건설 발표
(06월) 한미일 컨소시엄, 도시바메모리 인수 절차 완료
(05월) '자회사형 장애인 표준사업장' 행복모아 준공
(03월) 선임사외이사제도 도입 및 이사회 내 지속경영위원회 신설
(02월) 4세대(72단) 3D 낸드 기반 4TByte 기업용 SATA SSD 개발
(02월) 4세대(72단) 3D 낸드 기반, 차세대 PCIe eSSD 고객인증 시작
2017년
(10월) ‘SK하이닉스 산업보건 선진화지속위원회’가동
(09월) 이천캠퍼스 연구개발센터 건설계획 발표
(09월) 도시바메모리 투자 의결
(07월) 파운드리 전문 자회사인 'SK하이닉스 시스템아이씨' 출범
(04월) 20나노급 8Gb 기반 세계 최고 속도 차세대 그래픽 DRAM GDDR6 개발
(04월) 업계 최고 적층 72단 3D 낸드플래시 개발
(01월) 세계 최대 용량 8GB 초저전력 모바일 DRAM LPDDR4X 출시
2016년
(12월) 충북 청주에 최첨단 반도체 공장 건설계획 발표
(10월) 미국 스탠퍼드대학교와 ‘인공신경망 반도체 소자 공동 연구개발’ 협약 체결
(10월) 국내 최초 CDP 최고 영예 '플래티넘 클럽' 진입
(08월) 한국장애인고용공단과 ‘자회사형 표준사업장’ 설립을 위한 양해각서 체결
(02월) 남자핸드볼구단 ‘SK호크스’ 출범
2015년
(08월) 이천 M14 라인 준공
(08월) 샌디스크와 특허 라이선스 연장 및 공급 계약 체결
(06월) 업계 최초 '임금공유제' 도입
(02월) 8Gb LPDDR4 업계 최초 상용화
(01월) 2014년 사상 최대 연간 경영실적 달성
2014년
(12월) 도시바와 NIL 기술 공동 개발 MOU 체결 등 전방위 협력 강화
(10월) 16GB 비휘발성 하이브리드 D램 모듈 최초 개발
(09월) 중국 충칭 후공정 생산법인 준공
(09월) 다우존스 지속가능경영 드지수(DJSI World) 5년 연속 선정
(09월) 와이드 IO2 모바일 D램 세계 최초 개발
(06월) 소프텍 벨라루스 펌웨어 사업부 인수
(05월) 美 바이올린메모리 PCIe 카드 부문 인수
(04월) 128GB DDR4 모듈 최초 개발
2013년
(12월) 20나노급 LPDDR4 세계 최초 개발
(12월) TSV 기술 기반 HBM 세계 최초 개발
(11월) 16나노 낸드플래시 양산 체제 구축
(10월) 국내 최초 ‘CDP 명예의 전당’ 입성
(10월) 세계 최초 20나노급 6Gb LPDDR3 개발
(10월) 분기 매출 4조원 첫 돌파
(08월) 통합 ‘분석센터’ 구축
(07월) 삼성전자와 반도체 특허 크로스 라이선스 계약 체결
(06월) 램버스와 포괄적인 특허 라이선스 계약 체결
(06월) 세계 최초 고용량 8Gb LPDDR3 개발
(03월) 기업블로그 ‘하이라이트’ 오픈
(02월) 박성욱 신임 대표이사 취임
2012년
(11월) 업계 최초 2회 지속가능경영대상 수상 (2008년 1회 수상)
(10월) CDP, 탄소경영 글로벌 리더스클럽 4년 연속 선정
(09월) 20나노급 4Gb 그래픽 DDR3 개발
(09월) ‘플래시 디자인 솔루션 센터’ 설립
(06월) 청주 M12라인 준공
(06월) 일반 소비자용 SSD 출시
(06월) 美 컨트롤러 업체 LAMD 인수
(06월) 이탈리아 아이디어플래시 인수 후 유럽 기술센터 전환설립
(06월) IBM과 PC램 전략적 제휴 체결
(04월) 美 스팬션과 전략적 제휴 체결
(03월) ‘SK하이닉스 주식회사’ 로 상호 변경 및 SK하이닉스 출범
(02월) 최대주주 SK텔레콤으로 변경
(02월) 최태원 대표이사 회장 취임
(02월) 하성민 SK텔레콤 사장, 이사회 의장 취임
(02월) 램버스와의 반독점 소송 승소
2011년
(11월) 제19회 한국물류대상 대통령표창 수상
(11월) SK텔레콤, 하이닉스반도체 지분인수계약
(09월) 제 35회 국가생산성대회 국가생산성대상 대통령 표창 수상
(07월) 일본 도시바社와 차세대 메모리 M램 전략적 제휴
(06월) 한국기업지배구조원 평가에서 2년 연속 우수기업 선정
(06월) 제20회 경제정의기업상 대상(大賞) 수상
(05월) 美 램버스 상대 특허 항소심에서 승소
(04월) 30나노급 2Gb 차세대 DDR4 D램 개발
(03월) TSV 기술 활용해 세계 최대용량 D램 개발
(02월) 2011년 제 7회 ‘투명경영대상’ 수상
(01월) 공정한 평가 및 보상을 위한 승진 폐지 및 마일리지형 新 인사제도 도입
2010년
(12월) 세계 최초 30나노급 4Gb D램 개발
(12월) 건전 노사관계 유공자 포상 및 우수행정기관 인증 대통령 표창 수상
(11월) 반도체 업계 최초 탄소경영보고서 발간
(11월) 국내 기업 ‘기업지배구조’ 1위 선정
(09월) DJSI(다우존스 지속가능경영지수) 월드 신규 편입
(09월) 미국 휴렛팩커드社와 Re램 공동개발 계약 체결
(06월) 중국 후공정 합작공장 하이테크반도체 유한공사 준공
(03월) 권오철 신임 대표이사 취임
(03월) 웨이퍼 레벨 패키지에서 세계 최초로 ‘적층 기술’ 개발
(02월) 낸드플래시 20나노급 64Gb 칩 개발 성공
(01월) 세계 최초 40나노급 2Gb 모바일 D램 제품 개발
2009년
(12월) 세계 최초 40나노급 2기가비트 그래픽 DDR5 개발
(11월) 지속가능경영대상 수상
(11월) 대중소기업협력대상에서 기업/단체 부문 대통령 표창 수상
(10월) 업계 최고 성능 2세대 1기가비트 DDR3 개발
(10월) 국내 반도체 업계 최초로 유엔글로벌콤팩트(UNGC) 가입
(08월) 세계 최초 4기가비트 모바일 D램 인텔 인증 획득
(05월) 중국 무석시 후공정 합작사 설립
(05월) 뉴모닉스·파이슨과 낸드플래시 응용제품용 컨트롤러 3자 공동개발 계약 체결
(04월) 54나노 기술 적용 세계 최고 성능 모바일 D램 개발
(04월) 지속경영보고서 'Good Memory, Better Tomorrow' 발간
(04월) 일본, 상계관세 철폐
(03월) 세계 최초 8기가바이트 DDR3 서버용 모듈 인텔 인증 획득
(02월) 세계 최초 44나노 DDR3 D램 개발
(01월) 세계 최고속 DDR3 서버용 모듈 4GB ECC UDIMM 인텔 인증 획득
2008년
(12월) 세계 최초 '웨이퍼 레벨 패키지' 적용한 초소형 서버용 모듈 개발
(12월) 세계 최초 8단 적층 16GB 낸드플래시 개발
(12월) 美·EU, S램 반독점 위반 조사 '무혐의' 종료
(12월) 세계 최초 2기가비트 고용량 모바일 D램 개발
(11월) 세계 최고속 1Gb 그래픽스 D램 개발
(11월) 온실가스 국제 검증 성명서 획득
(10월) 지속가능경영대상 수상
(09월) 세계 최초 신개념 패키지 양면 기판 개발
(08월) 청주 300mm 전용 청주 제3공장 준공
(08월) 미국, 상계관세 철폐
(08월) 세계 최초 16GB 서버용 모듈 개발
(07월) '지속경영보고서' 반도체부문 대상 수상
(07월) 씨앤에스社와 자동차용 반도체 제휴 협력 협약 체결
(06월) 대만 파이슨社와 사업협력 본계약 체결
(06월) 세계 최초 3중셀(X3) 기술 기반의 32Gb 낸드플래시 메모리 개발
(05월) 대만 프로모스社와 포괄적 제휴 협력 계약 체결
(04월) 업계 최초 '지속경영보고서' 발간
(04월) 유럽연합(EU), 상계관세 철폐
(04월) '도전·창조·협력' 新 핵심가치 제정
(04월) 세계 최고속 모바일 LPDDR2 개발
(04월) 美 그란디스社와 STT램 라이선스 및 공동 개발 계약 체결
(03월) 신임이사진 선임
(03월) 국내 팹리스 업체 피델릭스社와 협력 계약 체결
(03월) 청주 300mm공장 (M11) 장비 반입식
(02월) 미국 메타램社와 2-Rank 기반 고성능 서버용 8GB DDR2 메모리 모듈 개발
(02월) 수익성 1위 탈환 위한 R&D 역량 강화
(01월) 차세대 비휘발성 메모리 분야 원천기술 공동개발 협약식
(01월) 새로운 혁신 시스템 구축 위한 도요타社 벤치마킹
(01월) 54나노 1GB/2GB DDR2 모듈 인텔社 인증 획득
(01월) 지속가능경영 원년을 위한 경영전략 워크숍 개최
2007년
(12월) 약 6억불 대규모 해외 전환사채 성공적 발행
(11월) WTO “일본, 하이닉스 상계관세 부과 부당하다” 판정
(11월) 실리콘화일社과 CIS 추진을 위한 협력 계약 체결
(11월) '일하는 이사회'를 위한 신(新)이사회 제도 도입
(11월) 54나노 1Gb DDR2 D램 인텔社 인증 획득
(11월) 국내 협력 기업과 성능평가 팹 운영
(11월) 세계 최초 1Gb GDDR5 개발
(10월) 환경운동연합과 '환경경영검증위원회' 협약식
(10월) 미국 오보닉스社와 차세대 메모리 'P램'기술 라이선스 계약 체결
(09월) Hynix-ST 반도체 유한공사, CRH社와 200mm 장비 매각 계약 체결
(09월) 세계 최초 24단 낸드 플래시 MCP 개발
(08월) 이노베이티브 실리콘社와 신개념 메모리 'Z램' 라이센스 계약 체결
(08월) 최고속ㆍ최소형 1Gb 모바일 D램 개발
(07월) 기업 슬로건 'Good Memory' 공표
(07월) 제2창업 비전 달성 위한 중장기 마스터플랜 발표
(05월) 업계최초 초박형 20단 낸드 플래시 MCP 개발
(05월) 초고속 차세대 메모리 DDR3 업계 최초 인증 획득
(04월) 업계 최고 수준의 이익률 기록
(04월) 청주 300mm 공장 (M11) 착공
(04월) 퓨전메모리 DOC H3 본격양산
(03월) 김종갑 신임 대표이사 취임 '제2의 창업' 선포
(03월) 샌디스크社와 특허 상호 라이센스/제품 공급 계약 체결 및 합작사 설립 양해각서 체결
(03월) 도시바社와 특허 상호 라이센스 및 공급 계약 체결
(03월) 친환경 마크 발표
(03월) 세계 최고속 ECC 모바일 D램 개발
(03월) 신임 이사진 구성
(01월) 사상 최대 매출 및 이익 달성
(01월) 최첨단 '웨이퍼 레벨 패키지' 기술 적용한 최고속 메모리 모듈 개발
2006년
(12월) 세계 최초 60나노급 최고속 DDR2 모듈 개발
(12월) 세계 최고속, 200MHz 512Mb 모바일 D램 개발
(10월) 중국 합작공장 Hynix-ST 준공으로 글로벌 300mm 생산체제 구축
(09월) 300mm 연구개발 팹 'R3' 개소
(03월) 업계 최초로 80나노 DDR2 D램 인텔社 인증 획득
()1월) 차세대 퓨전 메모리 'DOC H3' M-Systems社와 공동 개발 합의
2005년
(12월) 세계 최고속, 최대용량 그래픽 메모리 512Mb GDDR4 D램 개발
(11월) 독자적인 반도체 적층기술 적용한 초소형 메모리 모듈 2종 업계 최초 개발
(07월) 2GB DDR2-667 노트북용 모듈 업계 최초 인텔社 인증 획득
(07월) 채권금융기관 공동관리 조기종료 확정
(06월) 최고속 1GB DDR2-800 모듈 업계 최초 인증 획득
(05월) 이천 M10 공장 준공식 300mm 웨이퍼 본격 양산
(04월) 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시 중국 현지 합작공장 Hynix-ST 착공
(03월) 2004년 경영실적 사상 최대 연간 영업이익 달성
(01월) 전력 소모 30% 줄인 x8 기반 서버용 메모리 모듈 개발
(01월) 대만 프로모스社와 전략적 제휴를 위한 본계약 체결
2004년
(11월) STMicro社와 중국 현지 합작 공장 설립을 위한 본계약 체결
(10월) 비메모리 사업부문 영업양도 완료
(08월) 중국 장쑤(江蘇)성 우시(無錫)시와 중국 현지공장설립 본계약 체결
(06월) 시스템세미컨덕터 유한회사와 비메모리 사업부분 영업양도계약 체결
(03월) 업계 최초로 초고속 DDR SD램 550MHz개발
(03월) 1Gb DDR2 SD램 인텔社 인증 획득
(02월) 512Mb 낸드 플래시메모리 개발 성공
2003년
(12월) 대만 프로모스社와 전략적 제휴 체결
(12월) 512Mb DDR2 SD램 인텔社 인증 획득
(09월) 셀레스티카社로부터 우수 협력업체상 수상
(08월) 0.18미크론 고전압 공정기술 개발
(08월) 1Gb DDR2 개발 성공
(07월) 초고속 256메가 DDR500 출시
(06월) 512Mb/512MB DDR400 인텔社 인증 획득
(06월) 4천 96색상 구현 유기 EL 구동 칩 출시
()6월) 환경/안전/보건 기술연구소 설립
(05월) 모바일용 초저전력 256Mb SD램 양산
(05월) 0.10 미크론급 골든칩 양산 기술 성공
(04월) STMicro社와 플래시메모리 전략적 제휴
(03월) 메가급 Fe램 상용화 기술 개발
(03월) CMOS 고주파 PLL 집적회로 칩 출시
(02월) 256Mb/256MB DDR 400 인텔社 인증 획득
(01월) 333Mbps급 초고속 512Mb DDR SD램 인텔社 인증 획득
2002년
(11월) 하이디스 매각
(10월) 골든칩(Golden Chip) 기술 적용 0.10미크론급 512Mb DDR 개발
(09월) 자회사 하이디스(TFT-LCD) 매각 양해각서 체결
(08월) 그래픽 메모리용 초고속 256Mb DDR SD램 최초 출시
(08월) 메모리 모듈 국내 판매 사이트 오픈
(07월) 블루투스 '임베디드 플래시 베이스밴드칩' 개발
(06월) 고성능 정보가전용 256Mb SD램 최초 출시
(05월) 시러스 로직社와 파운드리 전략적 장기공급 계약체결
(03월) 1GB DDR D램 모듈 출시
(02월) 대만 VIA社에 DDR SD램 공식인증
(01월) <현대시스콤> 지분 양도 계약 체결
2001년
(12월) 세계 최고속 그래픽용 128Mb DDR SD램 출시
(11월) DDR 333, 대만 SiS社로부터 고객인증 획득
(10월) 카오디오용 8b MCU개발 / 양산 돌입
(09월) '블루칩' 프로젝트로 세계 최고 수준 경쟁력 확보
(09월) 6억5천만불에 TFT-LCD 자산 매각
(08월) 현대그룹서 계열분리 확정
(07월) 플래시 메모리카드 전용 MCU 개발 / 양산 돌입
(07월) 통신시스템사업부 <현대시스콤>으로 분사
(06월) FED 구동 IC개발완료
(06월) 경영지원부문 <㈜아스텍>으로 분사
(06월) 국내외 대규모 GDR 발행 성공
(06월) MCP 시장 진출
(06월) 32Mb초저전압형 플래시메모리 2종 출시
(05월) 통신ADSL사업부 <현대네트웍스>로 분사
(05월) 통신 ADSL 사업 공식 분리
(05월) 1Mb 강유전체 메모리(FeRAM) 개발
(05월) 통신단말기사업부 <현대큐리텔>로 분사
(04월) 그래픽용 세계 최고속 DDR SD램 양산
(04월) 새 기업이미지(CI) 제정
(04월) 램버스社에 288Mb 램버스 D램 공식 인증
(03월) (주)하이닉스반도체로 상호 변경
(03월) 메인 메모리용 DDR SD램 모듈 본격 공급
(03월) 차세대 단말기용 저전력 8Mb S램 개발
(03월) 서비스사업부문 <현대디지텍서비스㈜>로 분사
(02월) KCC에 걸리버스 농구단 매각
(02월) '위성서비스 사업부문' 분리
(02월) 미국 AMD에 DDR SD램 모듈 공식 인증
(01월) 안전ㆍ보건 분야 국제인증규격 획득
(01월) 초고속 512Mb DDR SD램 개발
2000년
(12월) TL 9000 품질경영시스템 인증 획득
(12월) 초소형 256MB 반도체 모듈 개발
(10월) 전사적 자원관리 시스템(ERP) 본격 가동
(10월) 가정의 날 휴가제도 시행
(10월) 인도 CDMA WLL 장비 시장 진출
(10월) 새 슬로건 'Human & Digital' 선포
(09월) 사내연구위원제 시행
(08월) 신기능 15.0/18.1인치 TFT-LCD 모듈 개발
(08월) 국내외 위성통신서비스 사업 진출
(08월) 모니터사업부문, <현대이미지퀘스트>로 분사
(08월) PDP사업부문 분사
(07월) LG전자와 반도체분야 전략적 제휴
(07월) 중국 전자화폐 규격 인증 획득
(07월) 전자구매 조달 시스템 가동
(07월) 직원연봉제 시대 개막
(06월) 차세대 고성능 18.1인치 TFT-LCD 개발 양산
(06월) 반도체용 신 감광제 양산화 성공
(06월) 브라질 WLL단말기 시장 진출
(05월) 전 사업장 환경경영 인증획득
(05월) 국내최초로 ADSL시스템 수출
(04월) 모토로라社에 스코틀랜드 반도체공장 매각
(04월) 강유전체메모리(Fe램) 제품화 성공
(04월) 초저전압 플래시 메모리 출시
(04월) MPEG-4/7기술 국제표준 작업에 채택
(04월) 배터리 충전기용 MCU 개발 양산
(02월) '인텔 개발자 회의'에서 미국 인텔社로부터 CMTL상 수상
1999년
(12월) 미국 에어터치社에 CDMA 장비 장기공급 계약 체결
(12월) 국내 대형 제조업체중 최초로 스톡옵션제 시행
(11월) 세계최초로 신메모리 공정기술 개발
(10월) ㈜현대반도체 흡수합병
(07월) LG반도체 대주주 지분 인수
(06월) 세계 최고속 그래픽용 16Mb SD램 양산
(05월) LG전자와 LG반도체 주식 양수도 계약 체결
(03월) 반도체조립 전문사 < ChipPAC > 매각
(02월) 국내최초 MP3 디코더 칩 생산
1998년
(12월) 세계최초 4Gb D램 용 감광제 양산 기술화 성공 및 기술수출
(12월) 0.25㎛ 비메모리 제조기술 개발
(11월) 세계 최고속 128Mb S램 양산
(10월) 4세대 64Mb SD램 개발
(09월) 64Mb DDR SD램 개발
(09월) 세계 최소형 다이렉트 램버스 D램 개발
(09월) 차세대 메모리 Fe램 개발
(08월) MAXTOR(HDD제조공급) 나스닥 상장
(04월) 순수 국내기술 '음성인식' PCS 단말기 출시
(03월) MPEG-4 핵심기술 국제표준안 채택
(02월) 국내최초 자동차용 비메모리 반도체 개발
(02월) 26인치 PDP 독자개발
1997년
(12월) 64Mb D램 월산 500만개 생산체제 구축
(12월) 국내최초 디지털 HDTV 방송시스템 개발
(11월) 세계최초 싱크링크 D램 시제품 개발
(05월) 세계최초 SOI기술이용 1Gb SD램 개발
1996년
(12월) 유가증권시장 상장(12월 26일)
(10월) 영국 스코틀랜드 반도체공장 설립
(09월) 대만 위성통신서비스사업 참여
(08월) 인도 위성통신서비스사업 참여
(02월) 미국 오레건주 반도체공장 (HSA)착공
(01월) 미국 MAXTOR社(HDD제조공급)인수
1995년
(12월) 국내 10대 제조업체 진입
(10월) 세계 최초 256Mb S램 개발
(08월) 미국 오레건주 반도체공장 HSA 설립
(04월) 세계최초 MPEG-2 SAVI 디코더칩 개발
(02월) 미국 비메모리 현지법인 SYMBIOS 설립
1994년
(05월) 중국현지법인 HECS 설립
(04월) 미국현지법인 AXIL 설립
(03월) GLOBALSTAR(인공위성사업) 참여
1993년
(12월) 카오디오 1천만대 생산 돌파
(10월) 모니터 400만대 출하 돌파
(10월) 통신분야 ISO 9002 인증 획득
(10월) 카오디오,국내 최초 ISO 9001 인증 획득
(10월) FUJITSU社와 반도체 기술협정 체결
(09월) 반도체부문 ISO 9001 인증 획득
(08월) CD-Vision 2000 개발
(08월) 자동차 CD Auto Changer 개발
(08월) 컴퓨터 ISO 9002 인증 획득
(08월) HDD 업체 Maxtor社 인수
(08월) 1Mb Fast S램 개발
(07월) 모니터 및 터미널 ISO 9002 인증 획득
(07월) 16Mb D램 시험생산 돌입(FAB IV)
(06월) 8M MASK ROM 개발
(06월) FAB IV 완공
(06월) HA,무인경비시스템 개발
(06월) 금성社 카메라 라인 인수
(03월) 하이브리드IC 및 메모리 모듈 ISO 9002 인증 획득
(03월) 뉴미디어 사업부 발족
(02월) 자동차용 GPS 자동항법장치 세계 3번째로 개발
(01월) 자동차 CDP DECK 국산화 개발
(01월) 메모리확장용 IC카드 개발
(01월) 3인치급 STN LCD 개발
1992년
(12월) FAB 2 B-Line 완공
(11월) 미국 Analog Devices – PMI에서 반도체조립부문 최우수 기업 선정
(09월) 국책과제 64Mb D램 시제품 개발
(09월) 반도체 조립분야 ISO 9002 획득
(09월) 2세대 16Mb D램 개발
(09월) 반도체 64Mb D램 개발
(07월) 국내최초 DSP 내장 카오디오 개발
(06월) 전장사업본부 IN-line System 운영
()5월) ISDN용 사설 교환기 HNT-832 개발
(03월) G4 FAX 개발
(01월) 김주용 사장 취임
1991년
(11월) 1Mb Slow S램 개발
(10월) 국내 최소형, 최경량 휴대용 전화기 시판
(08월) 싱가폴 현지법인 HES 설립
(08월) 486PC 내수 판매 개시
(07월) 반도체조립 생산능력 월 1억개 돌파
(05월) 현대전자 CI 확정
(04월) 4Mb D램 양산
(03월) 반도체 16Mb D램 개발
(02월) 국책과제 16Mb D램 시제품 개발
1990년
(11월) 카오디오 500만대 생산 돌파
(09월) 카메라 미주 수출 개시
(07월) 전국대학생 S/W 경진대회 개최
(04월) 국내최초 1,200 bps PAGER 개발
(02월) HEA 반도체/컴퓨터 R&D 센터 설립
(01월) 1Mb D램 생산개시
1989년
(11월) VGA 컬러 모니터 생산 개시
(11월) FAB III 완공
(10월) 국내 최초 PC 일본 수출
(09월) 4Mb D램 개발
(09월) 아트폰 생산 100만대 돌파
(08월) 256K Fast S램 개발
(07월) 모니터 100만대 생산
(05월) 현대전자 농구단 창단
(04월) 카오디오 부문 품질관리 1등급 획득
(04월) 16Mb D램 공동개발 착수
(01월) 세계반도체시장 점유율 20위권 진입
1988년
(12월) 자동응답전화기 개발
(11월) 유럽현지법인 HEE 설립
(10월) 카오디오 200만대 생산 돌파
(10월) 반도체조립 SMD 라인 완공
(07월) 반도체영업본부 월 판매량 7백만 개 돌파
(06월) 256K Slow S램 개발
(06월) 모니터 수출 50만대 돌파
(06월) 미국 LSI 로직社와 ASIC 기술 제휴
(04월) PC 수출 국내 1위 기록
(01월) 1Mb D램 개발 완료
1987년
(12월) 카폰 HKP-308 정부형식 승인 제1호 선정
(12월) 3.5" FDD 생산개시
(10월) 카폰 수출 10만대 돌파
(10월) 256Kb D램 수출 개시
(10월) 카오디오 생산 100만대 돌파
(09월) HX-400 ABCS 4세대 교환기 개발
(08월) 미국 TI社와 256Kb D램 파운드리 공급 계약
(07월) 미국 MOS ELECTRONIC社와 256Kb S램 기술제휴
(04월) FA 사업 진출
(04월) 위성방송수신기 개발 출시
(02월) 카폰판매 1위 기록
(01월) 카오디오, 일본 AIWA社 OEM 공급 계약
1986년
(11월) 현대 아트폰 생산 10만대 돌파
(10월) FAB 1B-LINE 완공
(09월) 국책과제 4Mb D램 공동개발
(08월) CMOS형 256K EPROM 개발
()7월) 키폰 OEM 생산 개시
(07월) 사설교환기 PABX HX-50 개발
(06월) 제1회 사원문화제 '아미회' 개최
(05월) 카오디오 CX-135E 최초 생산, 캐나다 수출 개시
(04월) 반도체영업본부 발족
(04월) 반도체연구소 설립
(03월) 전화기 ‘아트폰’ 생산, 판매 개시
(01월) 소프트웨어 사업본부 발족
1985년
(12월) 16Kb S램 출하개시
(10월) 256Kb D램 양산체제 돌입
(09월) 400MHz급 키폰 양산 개시
(07월) 반도체조립공장 준공
(05월) 일반 전화기 국내시판 개시
(05월) 16Kb S램 양산 개시
(05월) 64Kb D램 양산 개시
(04월) 카오디오 공장 준공
(03월) 미국 TI社와 반도체 파운드리 생산, 공급 계약 체결
(03월) 반도체조립 시험생산 개시
1984년
(12월) 국내최초 16Kb S램 시험생산 성공
(10월) 미국 현지법인 HEA준공
(09월) FAB II-A 완공
(08월) 반도체조립공장 착공
(04월) 통신기기공장 준공
(04월) 정보기기공장 준공
(02월) 정몽헌 사장 취임
1983년
(11월) 생산제품 1호, 다기능전화기 LX-2 생산개시
(10월) 이천 공장 착공
(05월) 미국 IBM社와 PC 판매대리점 계약 체결
(03월) 미국현지법인 HEA 설립
(02월) 현대전자산업주식회사로 상호 변경
1949년
(10월) 국도건설 주식회사 설립(10월15일)
📌 Source: 금융감독원 전자공시시스템, SK하이닉스(주) 공식 홈페이지, SK하이닉스(주) 공식 보도자료